Opto-electrónica Clase AB Amplificador de potencia de microondas uso de fotoconductora Tecnología de interruptores
Author: Chih-Jung Huang Autor: Huang Chih-Jung Adviser: Robert O'Connell Asesor: Robert O'Connell
Electrical and Computer Engineering, PhD Electrical and Computer Engineering, PhD
SS 2006 SS 2006
la tierra de próxima generación, dispositivos móviles, sistemas de radar de etapas matriz para aplicaciones de campo de batalla debe cumplir con las restricciones en el volumen, peso, consumo de energía y capacidad de procesamiento de datos que actualmente no están disponibles. El componente más ineficiente en un sistema escalonado matriz de radar es el amplificador de potencia final de cada emisión-recepción (TR) del módulo. Más recientes amplificadores de potencia final de los módulos de TR se han configurado en la Clase AB o push-pull modo con un rendimiento teórico de 78,5% y una eficiencia de sólo el 20% en la banda X (8-12,5 GHz) de frecuencia. Tenga en cuenta que una eficiencia del 10% requiere de diez veces la potencia radiada a ser generado y el 90% de la energía suministrada a ser eliminado en forma de calor. En esta disertación, se presenta un nuevo sistema de amplificador de potencia, en particular, un opto-electrónicas (OE) Clase AB push-pull amplificador de potencia de microondas. Con este amplificador, la eficiencia del circuito de alta potencia de salida razonable se puede conseguir en la banda X (8-12,5 GHz), al utilizar un interruptor fotoconductora novela semiconductores (PCSS), basado en GaAs intrínseco en lugar de los transistores de microondas tradicionales. El rendimiento de un fotoconductora interruptor semiconductor (PCSS), basado en GaAs intrínseco para evitar el bloqueo del efecto multiplicador para la aplicación de microondas 10,0 GHz es investigado por el software de simulación Silvaco. El estrecho de 0,1 micras electrodo distancia de separación es garantizar la eliminación rápida de photocarriers por barrer en el campo eléctrico asociado con la tensión aplicada en lugar del tiempo de recombinación natural de photocarriers. Las simulaciones muestran que el nuevo PCSS puede operar con éxito a 10,0 GHz. Cuando se incrusta en un amplificador de Clase AB OE circuito de potencia, un óptimo, un valor intermedio de la tensión de polarización Vcc puede ser identificada a la que el OE Clase AB PA es más del 50,0% eficiente y produce señales de salida con una distorsión muy poco en 10 GHz. Por último, apilando varios interruptores fotoconductora juntos (multi-capas de la estructura), la producción más alta del amplificador se puede lograr.
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